G06200 - SEMI G62 - 銀めっきの試験方法 Revision:SEMI G62-95 (Reapproved 0811) - Superseded SEMI MF43 — Test Method

SEMI MF43 — Test Method for Resistivity of Semiconductor Materials

Dynamic Method — In which the test is conducted under level 2 variability conditions (with removing the wafer from and reloading it to the stage of the SSIS between scans)

本ガイドはInternational Technology Roadmap for Semiconductors： 1999 edition （ITRS）によって予測され，主要半導体デバイスメーカーが計画している，130，90，65 nm技術世代のシリコンウェーハのジオメトリおよび平坦度についての測定システムを規定するための推奨事項を提供するものである。SEMI M1，SEMI M8，SEMI M11，SEMI M24，SEMI M38に定義されているウェーハのパラメータは，シリコンウェーハ・サプライヤにとっては顧客によって指定され，通常適合性証明の一部となる。シリコンウェーハ・サプライヤおよび顧客は，これらのパラメータを，異なるメーカーの装置を使用するか，あるいは同じサプライヤでも異なる世代の装置を使用して測定することがある。測定システムの基本的な特徴および能力に関する合意は，適切なシステムの調達と同様，データ交換およびデータ解釈を改善する。

본 문서는 저감 설비(abatement tool)의 F-GHG 처리 효율(DRE) 특성을 표시하기 위한 가이드를 제공한다

This Test Method also describes use of a transfer sensor that is calibrated using a calorimeter and a working sensor that is calibrated using the transfer sensor

G06200 - SEMI G62 - 銀めっきの試験方法 Revision:SEMI G62-95 (Reapproved 0811) - Superseded SEMI MF43 — Test Methodglobal Assembly & Packaging Technical Committee201171global Audits and Reviews Subcommittee20118www. semiviews. org www. semi. org199520023 : Referenced SEMI Standards SEMI G55 Test Method for Measurement of Silver Plating Brightness SEMI G56 Test Method for Measurement of Silver Plating Thickness